Эпитаксия (эпи... жана гр. taxis - жайгашуу, тартип) - бир кристаллдын бетинде экинчи кристаллдын белгилүү багытта өсүшү.

Эпитаксия гетероэпитаксия (астында жаткан кристаллдын жана өскөн кристаллдын заттары ар түрдүү) жана гомоэпитаксия (ал заттар бирдей) болуп айырмаланат. Кандайдыр кристаллдын көлөмүнүн ичинде башка бир крпсталлдардыи белгилүү багытта өсүшү эндотаксия деп аталат. Эпитаксия ар кандай чөйрөдө (буу, эритме, эритиндилер) кристаллдашууда, ошондой эле коррозия ж. б. учурунда байкалат.

Эпитаксия микроэлектроникада (транзистор, интеграл схемада), квант электроникасында, эсептегич техникадагы интегралдык оптиканын түзүлүштөрүндө д. у. с. пайдаланылат.

Колдонулган адабияттарОңдоо

Кыргыз Совет Энциклопедиясы. Башкы редактор Б. О. Орузбаева. -Фрунзе: Кыргыз Совет Энциклопедиясынын башкы редакциясы, 1980. Т. 6. Тоо климаты - Яшма. -656 б.